RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
61
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,670.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,529.3
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,670.4
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
517
2672
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
SpecTek Incorporated OP:71100 03/13 2M 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link