RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
61
Около -239% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.2
1,670.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
18
Скорость чтения, Гб/сек
3,529.3
20.4
Скорость записи, Гб/сек
1,670.4
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
517
3814
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link