RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Сравнить
Kingston 1G-SODIMM 1GB против Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
465.1
6.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
108
Около -315% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
108
26
Скорость чтения, Гб/сек
1,255.1
12.6
Скорость записи, Гб/сек
465.1
6.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
189
1970
Kingston 1G-SODIMM 1GB Сравнения RAM
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link