RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Confronto
Kingston 1G-SODIMM 1GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
465.1
6.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
108
Intorno -315% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
108
26
Velocità di lettura, GB/s
1,255.1
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
465.1
6.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
189
1970
Kingston 1G-SODIMM 1GB Confronto tra le RAM
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link