RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сравнить
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Средняя оценка
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
43
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
2,160.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
23
Скорость чтения, Гб/сек
5,987.5
14.4
Скорость записи, Гб/сек
2,160.7
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
957
2236
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link