RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сравнить
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,160.7
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
43
Около -79% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
24
Скорость чтения, Гб/сек
5,987.5
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,160.7
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
957
2445
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link