RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Сравнить
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
2,160.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
29
Скорость чтения, Гб/сек
5,987.5
13.1
Скорость записи, Гб/сек
2,160.7
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
957
2797
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link