RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Сравнить
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
45
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,160.7
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
45
Скорость чтения, Гб/сек
5,987.5
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,160.7
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
957
3233
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-096.A01LF 2GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link