RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
43
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
2,160.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
25
Скорость чтения, Гб/сек
5,987.5
14.6
Скорость записи, Гб/сек
2,160.7
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
957
2427
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
INTENSO 5641162 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link