Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против Kingston 99U5663-003.A00G 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Средняя оценка

Kingston 99U5663-003.A00G 16GB

Kingston 99U5663-003.A00G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 13.7

Среднее значение в тестах

Kingston 99U5663-003.A00G 16GB

Причины выбрать
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

40 43

Около -8% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.9 2,160.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 99U5663-003.A00G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 40
Скорость чтения, Гб/сек

5,987.5 13.7
Скорость записи, Гб/сек

2,160.7 9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

957 2362

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Kingston KHX2400C14/16G 16GB

Kingston KHX2400C14/16G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

модули RAM

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB

Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB

модули RAM

Kingston HX432C15PB3/16 16GB

Kingston HX432C15PB3/16 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB

модули RAM

Kingston KF548C38-16 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB

Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB

модули RAM