RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
55
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,160.7
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
55
Скорость чтения, Гб/сек
5,987.5
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,160.7
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
957
2701
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link