RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сравнить
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
19.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,160.7
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
43
Около -54% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
28
Скорость чтения, Гб/сек
5,987.5
19.1
Скорость записи, Гб/сек
2,160.7
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
957
3562
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link