RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Сравнить
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB против G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
44
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,892.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
33
Скорость чтения, Гб/сек
6,181.5
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,892.9
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
851
3157
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link