Kingston 39P5429-006.AO01 2GB против SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Средняя оценка

SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Причины выбрать
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

6 16.4

Среднее значение в тестах

SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Причины выбрать
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 44

Около -91% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.8 1,892.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 23
Скорость чтения, Гб/сек

6,181.5 16.4
Скорость записи, Гб/сек

1,892.9 8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

851 2532

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

модули RAM

Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB

Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston 9905744-035.A00G 16GB

Kingston 9905744-035.A00G 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

AMD R748G2133U2S 8GB

AMD R748G2133U2S 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

модули RAM