Kingston 9905402-665.A00LF 4GB против Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 32

Около 9% меньшая задержка
Выше скорость записи

5.5 5.4

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

11.7 10.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 32
Скорость чтения, Гб/сек

10.8 11.7
Скорость записи, Гб/сек

5.5 5.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1824 1424

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB

Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB

Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB

модули RAM

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB

Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400

модули RAM