RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
41
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
41
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
7.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1976
1512
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link