RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
39
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
39
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1976
2782
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link