RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1976
2336
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link