Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Средняя оценка

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

Причины выбрать
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 57

Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.8 6.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.7 5.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

57 33
Скорость чтения, Гб/сек

6.8 17.8
Скорость записи, Гб/сек

5.5 13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1244 3539

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston KM0VW4-MID 8GB

Kingston KM0VW4-MID 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB

Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB

Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C

G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston 9905598-009.A00G 8GB

Kingston 9905598-009.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB

Kingston K821PJ-MIB 16GB

Kingston K821PJ-MIB 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB

Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB

Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB

Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB

модули RAM