Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 57

Около -119% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.8 6.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.6 5.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

57 26
Скорость чтения, Гб/сек

6.8 18.8
Скорость записи, Гб/сек

5.5 15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1244 3733

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

Kingston 9905734-003.A00G 32GB

Kingston 9905734-003.A00G 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB

Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB

Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB

модули RAM