RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
57
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
23
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
20.6
Скорость записи, Гб/сек
5.5
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
3819
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link