RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
57
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
28
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
5.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
3914
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link