RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.3
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2846
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link