RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
57
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
28
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
5.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
2481
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link