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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
57
Por volta de -104% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
5.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
57
28
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.5
11.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1244
2481
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
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