Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    57 left arrow 73
    Около 22% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.2 left arrow 6.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.1 left arrow 5.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    57 left arrow 73
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6.8 left arrow 15.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.5 left arrow 9.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1244 left arrow 1843
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения