RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
27
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
21
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
18.6
Скорость записи, Гб/сек
8.9
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2418
3356
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link