Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 15.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,168.2 left arrow 12.2
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 60
    Около -107% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 5300
    Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    60 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,595.2 left arrow 15.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,168.2 left arrow 12.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    941 left arrow 2865
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения