RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
51
Около -65% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2060
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link