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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
12.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
60
Intorno -107% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
29
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
2865
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
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