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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
60
Autour de -107% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2865
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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