Kingston 9905403-090.A01LF 4GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 35

Около 23% меньшая задержка

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.2 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.6 8.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 35
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 15.2
Скорость записи, Гб/сек

8.9 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2418 2705

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston 9905625-011.A00G 8GB

Kingston 9905625-011.A00G 8GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

модули RAM

Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

модули RAM

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB

Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB

модули RAM