RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3106
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link