RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.9
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.9
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2418
2104
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link