RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Сравнить
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB против Micron Technology 16G3200CL22 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
13.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.0
Скорость записи, Гб/сек
8.9
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2418
2663
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link