RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB против Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
45
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
5.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
45
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
5.3
Скорость записи, Гб/сек
8.9
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2418
1535
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Kingston HX316C10F/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link