Kingston 9905403-134.A00LF 2GB против Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Средняя оценка

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Причины выбрать
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 25

Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.5 15.2

Среднее значение в тестах

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

11.4 9.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

24 25
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 15.2
Скорость записи, Гб/сек

9.3 11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2402 2346

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB

Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Teclast TLD416G26A30 16GB

Teclast TLD416G26A30 16GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB

Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Kingston 9905630-007.A00G 8GB

Kingston 9905630-007.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Kingston 9905702-119.A00G 8GB

Kingston 9905702-119.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB

Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB

Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

модули RAM