RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
56
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
56
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
9.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2200
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link