RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
56
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
56
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2200
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link