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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
56
Por volta de 52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
56
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2200
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
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