RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.2
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
13.5
Скорость записи, Гб/сек
9.3
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2402
2088
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston Kingston2GB800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link