RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.7
Скорость записи, Гб/сек
9.3
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2402
3075
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston Kingston2GB800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link