RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
27
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
27
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
14.6
Скорость записи, Гб/сек
13.1
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2926
2409
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Сравнения RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link