RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB против Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Средняя оценка
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
30
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
30
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
11.7
Скорость записи, Гб/сек
13.1
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2926
1832
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Сравнения RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link