Kingston 9905403-156.A00LF 2GB против V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Средняя оценка

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Причины выбрать
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 53

Около 66% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.1 9.4

Среднее значение в тестах

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

Причины выбрать
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

20 17.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

18 53
Скорость чтения, Гб/сек

17.7 20.0
Скорость записи, Гб/сек

13.1 9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2926 2366

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB

DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB

ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB

модули RAM