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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
53
左右 66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
17.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
53
读取速度,GB/s
17.7
20.0
写入速度,GB/s
13.1
9.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
2366
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB RAM的比较
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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