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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
63
左右 -215% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
20
读取速度,GB/s
3,231.0
19.2
写入速度,GB/s
1,447.3
14.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3326
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
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Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
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