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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston 9965589-017.D00G 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
13.9
12.3
写入速度,GB/s
8.6
9.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2617
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-025.A00G 8GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
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