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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
58
左右 -49% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
39
读取速度,GB/s
4,241.0
15.3
写入速度,GB/s
1,950.7
12.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2760
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
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