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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
104
左右 -271% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
28
读取速度,GB/s
3,192.0
16.0
写入速度,GB/s
2,404.5
11.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2436
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
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